Vorobiev, Yu. V. Electrical and optical properties of non-uniform semiconducting synthetic diamond with deep impurity levels [Текст] / Yu.V. Vorobiev, R.V. Zakharchenko, G.N. Semenova, A.V. Svitelskiy, T.V. Torchinskaya | Друк |
Наукові публікації
Написав Paltsun   
Неділя, 11 травня 2014, 16:42

Vorobiev, Yu. V. Electrical and optical properties of non-uniform semiconducting synthetic diamond with deep impurity levels [Текст] / Yu.V. Vorobiev, R.V. Zakharchenko, G.N. Semenova, A.V. Svitelskiy, T.V. Torchinskaya // In Proceedings of Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference. IEEE Publication Date: 29 Apr-3 May 1996. – 1996. - Toulouse, France. – P. 307-310.

Синтетичні, леговані бором, монокристали алмазу р-типу володіють поверхневим шаром з низьким опором. Фотопровідність високо-омічної об'ємної області експоненціально зростає із збільшенням температури. Енергія активації цієї залежності становить 0,4 еВ при низькому електричному полі і 0,3 еВ при сильному полі. Зміна енергії активації пояснюється на основі воднеподібної моделі акцепторного центру бору. У сильному електричному полі спостерігається нестабільність електричного струму, пов'язана з перезаряджанням глибоких рівнів і явищ теплового пробою. (текст)

Останнє оновлення на Неділя, 11 травня 2014, 16:53