Vorobiev, Yu. V. Electrical and optical properties of non-uniform semiconducting synthetic diamond with deep impurity levels [Текст] / Yu.V. Vorobiev, R.V. Zakharchenko, G.N. Semenova, A.V. Svitelskiy, T.V. Torchinskaya // In Proceedings of Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference. IEEE Publication Date: 29 Apr-3 May 1996. – 1996. - Toulouse, France. – P. 307-310. | Печать |
Автор: Paltsun   
11.05.2014 16:42

Синтетические, легированные бором, монокристаллы алмаза р-типа обладают поверхностным слоем с низким сопротивлением. Фотопроводимость высоко-омической объёмной области экспоненциально возрастает с увеличением температуры. Энергия активации этой зависимости составляет 0,4 эВ при низком электрическом поле и 0,3 эВ при сильном поле. Изменение энергии активации объясняется на основе водородоподобной модели акцепторного центра бора. В сильном электрическом поле наблюдается нестабильность электрического тока, связанная с перезарядкой глубоких уровней и явлений теплового пробоя. (текст)

Обновлено 11.05.2014 16:53